経産省が全面出資の次世代メモリー開発中止、理論上は数千倍の耐久性と読み込み速度どころかすぐ壊れて使い物にならず

経済産業省は新エネルギー・産業技術総合開発機構（ＮＥＤＯ）のグリーンイノベーション（ＧＩ）基金で支援する抵抗変化型不揮発性メモリー（ＮＲＡＭ）
開発事業を２０２４年度末で中止する方針を決めた。同事業は日本ゼオンなどが手がけ、高速・大容量のＮＲＡＭ開発を目指していた。
動作機構を研究する中で、メモリー製品としての保障が困難であることが明らかになり開発中止に至った。

ＮＲＡＭはカーボンナノチューブ（ＣＮＴ）を用いる不揮発メモリー。高速・大容量で書き換えデータ保持特性に優れるなどＤＲＡＭ代替の次世代メモリーとして期待されていた。ただ、動作原理が当初の想定と異なり
動作回数の限界が１００万回（１０の６乗回）程度であることが判明。ＤＲＡＭと同程度の信頼性を担保することが困難と結論付けた。

ＧＩ基金の採択事業は事業者の責任によらない事情があると有識者会議が認めた場合に事業を中止できる。
日本ゼオンなどのＮＲＡＭ開発事業には当初、３０年度までの総事業費約９１億円に対して約５６億円の助成を計画していた。

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＞不揮発性メモリの書き換え回数は、メモリの種類によって大きく異なります。一般的なNANDフラッシュメモリは数千回程度ですが、FeRAM（フェラマ）やMRAM（マグネトロレジスタンスRAM）は100億回以上、さらにはほぼ無限回の書き換えが可能と言われています。

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